消息称三星、SK海力士推进移动内存堆叠封装技术量产，满足端侧AI需求

三星电子与SK海力士正在引领移动DRAM技术的新潮流，致力于开发堆叠封装技术，以增强移动设备的内存带宽，应对日益增长的端侧AI需求。传统的HBM内存堆叠策略因移动DRAM芯片尺寸小及TSV连接方案不适用而遇到挑战。为解决这些问题，这两家公司采取了垂直布线扇出技术（VFO），这是一种创新的封装方法，能够提供更多的IO数据引脚，减少电信号传输路径，提高能效。

SK海力士的VFO技术结合FOWLP和DRAM堆叠，显著缩短信号传输距离，能效提升4.9%，且封装厚度减少27%，尽管稍有增加1.4%的散热。三星则研发了名为LLW DRAM的产品，具备低延迟、高带宽（128GB/s）和低能耗（1.2 pJ / b）的特点。VFO技术有望成为继HBM之后AI内存领域的下一个重要突破。

三星计划在2024年下半年开始大规模生产LLW DRAM，而SK海力士的相关产品已进入量产准备阶段。这项技术的创新将对移动设备的性能产生深远影响，满足未来AI应用的需求。

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