近期有传言指出,三星电子的最新一代HBM3E高频宽内存芯片已成功通过英伟达(Nvidia)的质量检测,并有望应用于其人工智能处理器之中。对此,三星电子方面回应称,关于客户的特定报道无法予以确认,同时强调先前的信息依然准确——即目前正在进行的质量测试阶段并未出现任何变动。
据部分媒体报道,基于未具名的消息来源透露,三星与英伟达之间正接近达成一项供应协议,计划从今年第四季度起开始供应8层HBM3E芯片。然而,这些消息同样提到,对于更先进的12层HBM3E版本,三星电子仍在持续进行测试中。
回顾7月31日,三星在公布第二季度财务报告的电话会议中曾宣布,已向包括英伟达在内的主要合作伙伴提供了8层HBM3E样片,并处于质量验证的过程中,预期将在第三季度实现大规模生产及供货。
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