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当地时间10月3日，三星电子在美国加州硅谷麦克纳里会议中心举办了2024年三星开发者大会（SDC）。在这次大会上，三星电子宣布将人工智能（AI）技术应用到其物联网（IoT）平台SmartThings，并逐步扩展到更多产品中，以提升家庭智能设备的AI功能。 在此次大会上，三星电子表示计划将内置SmartThings Hub功能扩展到配备7英寸屏幕的家电设备上。这意味着用户可以直接使用这些设备与其他品牌的智能家居产品进行连接，而无需额外购买独立的Hub设备。这一举措将进一步简化用户的智能家居体验，并增强不同品牌设备之间的互操作性。 ...

近期有传言指出，三星电子的最新一代HBM3E高频宽内存芯片已成功通过英伟达（Nvidia）的质量检测，并有望应用于其人工智能处理器之中。对此，三星电子方面回应称，关于客户的特定报道无法予以确认，同时强调先前的信息依然准确——即目前正在进行的质量测试阶段并未出现任何变动。 据部分媒体报道，基于未具名的消息来源透露，三星与英伟达之间正接近达成一项供应协议，计划从今年第四季度起开始供应8层HBM3E芯片。然而，这些消息同样提到，对于更先进的12层HBM3E版本，三星电子仍在持续进行测试中。 回顾7月31日，三星在公布...

三星电子近期在中国市场推出了全新的Galaxy Z系列，包括Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6。在这次活动中，三星宣布与火山引擎携手，将豆包大模型融入这两款手机的智能助手和AI视觉功能中，以增强用户的智能体验。在海外，三星与谷歌Gemini有深度合作，而在中国，火山引擎成为了重要的大模型合作伙伴。 新款三星Galaxy手机的智能助手Bixby利用豆包大模型，可提供实时更新的旅行资讯，如景点、美食和住宿信息，帮助用户规划旅程。此外，借助AI写真技术，用户仅需一张照片即可将其转化为多种风格的图像，如商务、3D卡通或赛博朋...

三星电子在AI芯片市场竞争中寻求突破，任命Young Hyun Jun为半导体部门新领导，以追赶如SK海力士等对手。Young Hyun Jun在存储芯片领域拥有丰富经验，曾助力三星开发关键DRAM和闪存芯片。此举被认为是三星加强未来竞争力的前瞻性措施，原半导体部门负责人Kyung Kye-hyun将转任先进技术研究院和未来业务团队负责人。 三星正聚焦于高端芯片市场，特别是高带宽内存（HBM）领域，该领域对人工智能应用至关重要。尽管三星在DRAM市场份额领先，但在HBM市场上落后于SK海力士。分析师指出，三星已开始批量生产HBM3E产品，并计划扩大...

三星电子在推进AI芯片创新方面迈出重要一步，其在美国硅谷设立了先进处理器实验室，隶属于三星综合研究院（SAIT）。该实验室将专注于研发基于RISC-V架构的处理器IP，旨在打破英伟达在人工智能芯片领域的主导地位。此举意味着三星正寻求减少对Arm架构的依赖，以降低授权费用并提高技术自主性。RISC-V因其开源特性，为三星提供了更多设计自由度。 早在2023年6月，三星作为创始成员参与了全球RISC-V软件生态项目“RISE”，进一步推动RISC-V处理器的市场应用。而在2019年，三星透露计划在其毫米波射频模块中采用SiFive的RISC-V IP...

三星电子与SK海力士正在引领移动DRAM技术的新潮流，致力于开发堆叠封装技术，以增强移动设备的内存带宽，应对日益增长的端侧AI需求。传统的HBM内存堆叠策略因移动DRAM芯片尺寸小及TSV连接方案不适用而遇到挑战。为解决这些问题，这两家公司采取了垂直布线扇出技术（VFO），这是一种创新的封装方法，能够提供更多的IO数据引脚，减少电信号传输路径，提高能效。 SK海力士的VFO技术结合FOWLP和DRAM堆叠，显著缩短信号传输距离，能效提升4.9%，且封装厚度减少27%，尽管稍有增加1.4%的散热。三星则研发了名为LLW DRAM的产品，具...

三星电子携手NAVER，两大巨头共同推进新一代AI芯片Mach-2的研发工作，旨在为超大规模人工智能模型提供更为优化的解决方案。根据内部消息，NAVER将专注于Mach-2的核心软件设计，而三星电子将承担芯片的设计和制造任务。这一合作始于2022年，其早期成果——Mach-1推理加速芯片已引起业界广泛关注，其在能效和内存性能上展现出显著优势，超越了市场上的类似产品，如英伟达的解决方案。 NAVER计划大规模采购Mach-1芯片，预计投入高达1万亿韩元，显示出对这款芯片的强烈信心。三星电子DS部门负责人庆桂显透露，Mach-1芯片预计将在...