标签：移动DRAM

三星电子与SK海力士正在引领移动DRAM技术的新潮流，致力于开发堆叠封装技术，以增强移动设备的内存带宽，应对日益增长的端侧AI需求。传统的HBM内存堆叠策略因移动DRAM芯片尺寸小及TSV连接方案不适用而遇到挑战。为解决这些问题，这两家公司采取了垂直布线扇出技术（VFO），这是一种创新的封装方法，能够提供更多的IO数据引脚，减少电信号传输路径，提高能效。 SK海力士的VFO技术结合FOWLP和DRAM堆叠，显著缩短信号传输距离，能效提升4.9%，且封装厚度减少27%，尽管稍有增加1.4%的散热。三星则研发了名为LLW DRAM的产品，具...