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三星电子澄清HBM3E芯片未通过英伟达AI处理器的质量测试
近期有传言指出,三星电子的最新一代HBM3E高频宽内存芯片已成功通过英伟达(Nvidia)的质量检测,并有望应用于其人工智能处理器之中。对此,三星电子方面回应称,关于客户的特定报道无法予以确认,同时强调先前的信息依然准确——即目前正在进行的质量测试阶段并未出现任何变动。 据部分媒体报道,基于未具名的消息来源透露,三星与英伟达之间正接近达成一项供应协议,计划从今年第四季度起开始供应8层HBM3E芯片。然而,这些消息同样提到,对于更先进的12层HBM3E版本,三星电子仍在持续进行测试中。 回顾7月31日,三星在公布...
AMD:四季度推出MI325X AI芯片 比英伟达H200快30%
在近期的COMPUTEX台北国际电脑展上,AMD首席执行官苏姿丰宣布了一款创新的AI处理器——MI325X。这款新芯片延续了AMD MI300系列的成功轨迹,配备了革新性的HBM3E高带宽内存技术和CDNA3架构,以确保强大的性能输出。MI325X拥有288GB的HBM3E内存,带宽高达每秒6TB,远超竞争对手,例如在内存容量和带宽上领先英伟达H200约一倍,运算速度也快30%。此外,该芯片在性价比方面表现出色,预计将于今年第四季度上市。 AMD还透露了未来规划,计划在2025年推出采用3nm工艺的MI350系列芯片,基于新的架构设计,内存容量同样为288GB HBM3E...