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近期，市场上关于人工智能（AI）泡沫的担忧逐渐蔓延至存储领域，引发了投行与产业之间的激烈争论。争论的核心集中在因AI存储需求激增而备受关注的高带宽内存（HBM）。本文将详细探讨HBM市场的现状及其未来发展。 9月，摩根士丹利发布了一份对HBM市场的负面报告。报告指出，尽管HBM市场需求旺盛，但由于三星、SK海力士和美光等巨头纷纷涌入，导致市场可能出现供过于求的局面。预计2024年HBM的供应量将达到2500亿Gb，超出需求量1500亿Gb，供需失衡可能高达66.7%。 然而，美光和SK海力士的实际业绩却证明了HBM市场的强劲需求...

在即将到来的数字化时代，韩国的科技巨头SK集团宣布了一项重大投资计划，以强化其在全球芯片行业的领先地位。据消息透露，SK海力士，作为SK集团旗下的核心企业，将在未来的十年，即截至2028年，投入高达103万亿韩元，约折合746亿美元，用于提升其在人工智能领域的芯片技术。这一战略投资旨在推动公司业务的智能化转型，以满足不断增长的人工智能应用需求。 同时，SK集团也提出了一个全面的资金保障方案，计划在2026年前筹集80万亿韩元的资金。这些资金不仅将用于支持人工智能和半导体的关键技术研发，还会被用来回馈股东，...

三星电子与SK海力士正在引领移动DRAM技术的新潮流，致力于开发堆叠封装技术，以增强移动设备的内存带宽，应对日益增长的端侧AI需求。传统的HBM内存堆叠策略因移动DRAM芯片尺寸小及TSV连接方案不适用而遇到挑战。为解决这些问题，这两家公司采取了垂直布线扇出技术（VFO），这是一种创新的封装方法，能够提供更多的IO数据引脚，减少电信号传输路径，提高能效。 SK海力士的VFO技术结合FOWLP和DRAM堆叠，显著缩短信号传输距离，能效提升4.9%，且封装厚度减少27%，尽管稍有增加1.4%的散热。三星则研发了名为LLW DRAM的产品，具...